%A 赵子铭, 陈哲 %T n型半导体CdS催化剂的合成及其光催化性能研究 %0 Journal Article %D 2022 %J 吉林化工学院学报 %R 10.16039/j.cnki.cn22-1249.2022.05.001 %P 1-5 %V 39 %N 5 %U {https://xuebao.jlict.edu.cn/CN/abstract/article_1337.shtml} %8 2022-05-25 %X
硫化镉半导体具有合适的能带位置,强可见光吸收,可作为光催化反应中的催化剂,以氯化铬、铜试剂为原料,进一步与乙二胺采用水热法合成。在光照条件下(λ>420 nm),产氢性能为57.38μmol·g-1h-1,并通过循环实验测试表现出优异的稳定性。对硫化镉催化剂测试了其XRD、SEM、XPS、固体紫外以及BET表征,实验结果显示,硫化镉的结构为六方晶体结构,其形貌为分布均匀的一维纳米结构,禁带宽度为2.28 eV,比表面积与孔隙率大。因此,硫化镉可应用于光催化产氢实验。